中澤 治雄 | 富士電機at

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• 栗林 均

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• 武井 学

  富士電機アドバンストテクノロジー

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• 内藤 達也

  (株)富士電機総合研究所

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  (株)富士電機総合研究所

• 魯 鴻飛

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 下山 和男

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  富士電機アドバンストテクノロジー

• 望月 邦雄

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 栗林 均

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 高橋 良和

  富士電機 松本工場 パワー半導体部

• 高橋 孝太

  富士電機アドバンストテクノロジー株式会社

• 岩本 進

  富士電機アドバンストテクノロジー株式会社

• 栗林 均

  富士電機システムズ株式会社

• 武井 学

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• 内藤 達也

  富士電機システムズ株式会社

• 河島 朋之

  富士電機システムズ株式会社

• 藤掛 伸二

  富士電機システムズ株式会社

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著作論文

• 高耐圧-逆阻止IGBT向けの新分離層形成プロセス
• トレンチ埋込法により作製した20mΩcm^2 660V SJ-MOSFET
• 深いトレンチエッチングとエピタキシャル成長により作製した耐圧500V以上のSJ-MOSFET
• DB(誘電体バリア)-IGBT構造によるキャリア注入の促進
• プロトンドナー型ミドルブロードバッファダイオードの発振抑制効果とソフトリカバリー性能について
• マルチレベル電力変換器用1700V逆阻止IGBT

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