液相析出法による酸化スズ薄膜の形成
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概要
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Tin oxide thin films have been deposited by means of liquid phase deposition using tin fluoride as a precursor. A uniform film was obtained at room temperature with stirring the precursor solution. There were a large amount of hydroxyl groups in the deposited films. However, due to annealing in air, a Sn-O-Sn network was formed in the films through dehydration condensation between the hydroxyl groups resulting in the formation of the films consisting mainly of SnO2. The annealing improved the crystallity of the films as well. The resistivity decreased down to 1.2×10 -2Ωcm by the annealing at 673K. However, the annealing at higher temperatures resulted in the increase in resistivity due to the decrease in carrier mobility and concentration.
- 社団法人表面技術協会の論文
- 2004-01-01
著者
-
高井 治
名古屋大学大学院工学研究科
-
高井 治
名古屋大 大学院工学研究科
-
高井 治
名大 理工総研
-
高井 治
名古屋大学
-
蓬原 正伸
日本ペイント(株)サーフ事業部 防錆材料技術部
-
杉村 博之
京都大学
-
杉村 博之
名古屋大学大学院 工学研究科
-
宇野 仁
名古屋大学大学院 工学研究科
-
杉村 博之
名古屋大学大学院工学研究科材料プロセス工学専攻
-
杉村 博之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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