半導体表面での電子輸送 - 点接触トランジスタから多探針STM -
スポンサーリンク
概要
著者
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
白木 一郎
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
田邊 輔仁
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
GREY Francois
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
-
Grey F
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
-
田辺 輔仁
東大理
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
関連論文
- 20pGQ-3 シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の電子構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-2 BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pRC-15 第41回国際物理オリンピック(IPhO)日本代表訓練:実験研修(21pRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aVE-11 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告IV : 全体報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 28aVE-7 第40回国際物理オリンピック(メキシコ大会)報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- STMにおける試料と探針からの電界蒸発 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aVE-8 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告 : I. 第1チャレンジ(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- Si (111) 7×7表面のSiアドアトムの結合エネルギーの差 : STMを用いた実験と理論計算による解析
- Au/Si(111)表面超構造のガラス・結晶化転移での電気伝導の研究
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 20pRA-2 第4回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2008報告II : 実験問題(20pRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ビスマス量子薄膜における表面状態による電気伝導
- 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-12 キャリアドープしたモット絶縁体表面の電気伝導(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-9 表面状態電気伝導測定によるSn/Si(111)の基底状態の研究(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 結晶表面上単原子ステップの電気抵抗
- シリコン表面上での電荷密度波の格子整合効果とソリトンダイナミクス
- 単原子ステップを通過する表面自由電子
- 吸着原子誘起の局在状態と表面自由電子ガスとの相互作用
- 22aXA-10 Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動 : バンド構造からの考察(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-13 希薄磁性表面での抵抗異常 : 近藤効果とRKKY相互作用の競合(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 表面上の2次元吸着原子ガス相と内殻光電子分光
- 30pTE-1 金属被覆CNT探針を用いたダマシン銅ワイヤのナノメーター電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
- 4探針STMの開発と表面電子輸送の測定
- ミクロな4端子プローブによる表面電気伝導の測定
- 30pTE-2 金属被覆CNT探針を用いたFeSi2ナノワイヤの4探針電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-55 ナトリウムを吸着したSi(111)√×√-Sn表面の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-5 SMOKE装置の開発とGd/In/Si(111)金属表面の磁性研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-33 超高真空低温型表面磁気光学力 : 効果測定装置の開発(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-4 磁性体吸着した金属表面Si(111)-√×√の電気伝導(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 極薄Si酸化膜上Geナノドットの界面構造と閉じ込めポテンシャル
- 国際物理オリンピック2008ベトナム大会報告
- 20pRA-4 第39回国際物理オリンピック(ベトナム大会)報告(20pRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 23aQK-8 第6回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2010報告IV : 全体報告(23aQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 23aQK-5 第41回国際物理オリンピック・クロアチア大会報告(23aQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 実験室 マイクロ4端子プローブによる表面電気伝導の測定
- 28aYQ-11 マイクロ4端子法による電気伝導の測定
- 半導体表面での電子輸送 - 点接触トランジスタから多探針STM -
- Ag探針を用いた表面エレクトロマイグレーションのSEM観察
- シリコン表面構造と表面電気伝導(2)
- シリコン表面構造と表面電気伝導(1)
- 28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
- 24pPSA-13 In/Si(111)金属表面超構造へのGd吸着(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 31a-PS-9 UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au) 二元表面合金相の形成過程の観察
- 7a-PS-21 UHV-SEM/SREMによるSi(111)-√×√-(Ag+Au)の形成過程の観察
- 物理チャレンジから物理オリンピックへ
- 半導体表面の電子輸送 : 原子スケール低次元電子系としてのシリコン表面電子バンド(第45回物性若手夏の学校(2000年度)(その1),講義ノート)
- 25pW-4 μ-4probe内蔵UHV-SEM-SREMによる表面電気伝導のその場観察
- 24aPS-12 独立駆動型4端子STM装置の開発
- 23pW-11 独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定
- 25aEB-10 2011年第42回国際物理五輪(IPhO)日本代表訓練 : 実験研修(25aEB 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 2010年度公開講座「超伝導からみる科学技術の最先端」報告(教育報告)
- トポロジカル絶縁体は本当か : 実験から見て
- 26aTH-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-9 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-7 ビスマス超薄膜の表面状態における電流誘起スピン偏極の測定(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半導体結晶表面上の擬1次元金属
- e-Journal の現状と将来 : 表面科学講演大会特別講演より
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-5 集束イオンビーム複合型低温4探針STM装置の開発(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-7 ビスマス超薄膜の表面状態における電流誘起スピン偏極の測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-4 三次元トポロジカル絶縁体上への二次元量子スピンホール相単一バイレイヤーBiの成長(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-4 Si(111)-4×1-In表面の異方的表面電気伝導度の温度依存性(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-3 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-2 高磁場下サブケルビン・マイクロ4端子プローブ装置の開発(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRF-1 第7回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2011 : 全体報告(24aRF 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 研究ニュース
- Au吸着Si表面から何を学んだか