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Ntt Lsi研 | 論文
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- Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程
- 30a-H-2 O/Si(111)表面の電子状態とSTM(II)
- 28a-Y-4 Si(111)酸化初期表面のSTM/STSに関する理論
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- CZシリコン中の酸素の挙動 : 融液成長と蒸着膜
- 0.25μm CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- 0.5ミクロンBiCMOSゲ-トアレイの構成と設計 (0.5ミクロンBiCMOSゲ-トアレイ設計・製造技術)
- 量子効果電子デバイス
- 1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
- 1/4・ミクロンゲート極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイのダイナミック性能と消費電流特性
- 完全空乏型CMOS/SIMOXインバータ回路における消費電流のダイナミック特性
- 有限要素法によるLE-VB法結晶成長界面の解析
- LE-VB法B_2O_3の融液被覆効果
- 高誘電率絶縁材料 (超LSI用絶縁膜)