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Nttフォトニクス研究所 | 論文
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
- B-8-9 高感度10Gbit/s APDバースト光受信器に関する検討(B-8.通信方式,一般講演)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)
- 1×4 InGaAsP/InP多モード干渉導波路型光スイッチの動的スイッチング特性(フォトニックネットワーク・システム,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,WDM技術,マルチレイヤ・クロスレイヤ,次世代トランスポート(高速Ethernet,ASON/OTN),一般)
- ISLC2004報告(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
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