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Nec 光・超高周波デバイス研究所 | 論文
- GaAsSb/GaAs量子井戸を用いた1.3μm帯面発光レーザ特性
- GaAsSb系長波面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
- GaAsSb系長波長半導体レーザ
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
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- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- B-5-219 モード同期レーザをマスタとした波長多重ミリ波光信号源の検討
- 基準クロック光注入によるモード同期LDの低ジッタ化
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
- PC-2-3 半導体光増幅器と実装技術
- C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
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- 対称マッハ・ツェンダー型全光スイッチの超高速・低エネルギー動作
- W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
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- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性