スポンサーリンク
Nec 光・超高周波デバイス研究所 | 論文
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
- 装置間インターコネクション用 1.1Gbps×8ch光リンクの開発
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- SC-2-4 DWDM用波長選択光源
- 25aN-7 InP量子ドットにおけるキャリアーの緩和ダイナミクス
- 23pN-5 Inp量子ドットにおけるアンチストークス発光
- 半導体中の共鳴励起非線形光学効果に伴う波長シフトを利用したフェムト秒全光スイッチ
- 25pXD-7 共鳴二次発光を用いた歪誘起InGaAs/GaAs量子点の位相緩和測定
- InP量子点の作製と光学特性
- 7p-J-2 InP量子点の2波長ポンププローブ分光
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- 7p-J-1 InP量子点における光学異方性
- 30p-YC-5 InP量子点における共鳴二次発光
- InP基板上長波InAs量子ドットレーザ
- MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態
- 2p-YH-13 自己形成型量子点における磁場効果
- 29p-ZE-13 Photoluminescence of strain-induced InGaAs/GaAs coupled quantum dot-pairs