スポンサーリンク
Nec基礎研究所 | 論文
- F206 CZ-Siメルト表面のスポークパターン形成における表面張力起因対流の役割(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- CZ-Siメルト表面のネットワークパターン形成における表面張力起因対流の役割
- マランゴニ温度振動に起因する固液界面振動の観察 : バルク成長III
- シリコンメルト表面におけるベナールセルの観測
- 24aB2 浅いシリコンメルト表面における温度変動(バルク成長VII)
- シリコンメルト表面の非接触温度測定
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- NECにおける量子情報技術・システムへの取り組み : 量子力学の原理による情報通信技術のイノベーション(電子デバイス, 一般)
- 超電導による高速集積回路構成技術とバックボーンネットワークへの応用
- 超電導SFQ高速デジタル回路
- ペタフロップスコンピュータとSFQ技術
- CVD-SrTiO_3膜の電気特性
- F204 EMCZ法による8インチSi単結晶育成中の熱物質輸送(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 酸化物メルトの電磁力による回転 : バルク成長V
- 導電性るつぼ内のSiメルトの自発回転 : バルク成長II
- 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)
- 電流磁場印加法(EMCZ)により育成したSi単結晶中の酸素濃度分布 : 融液物性II
- 電磁力によるSi融液の回転 : 融液物性II