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Necデバイスプラットフォーム研究所 | 論文
- 20pGJ-8 共鳴励起状態を用いた磁気コア極性反転(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pGJ-4 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動II(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pGJ-2 外部磁場によるCo/Ni細線中の磁壁伝搬観測(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 電力回生機能を有する0.2mm^2,27Mbps,3mW ADC/FFT-less周波数多重Body-Area-Network受信器の開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
- 20pGJ-3 Co/Ni多層膜細線における磁壁電流駆動の積層膜厚および膜厚比率依存性(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aPS-28 細線形状制御による磁壁駆動電流密度の低減(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM
- 周期的同期方式によるマルチコアSOCプラットフォーム向けクロッキング・アーキテクチャ(PLL,クロック,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 周期的同期方式によるマルチコアSOCプラットフォーム向けクロッキング・アーキテクチャ(PLL,クロック, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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