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Necシステムデバイス・基礎研究本部 | 論文
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- 30p-E-11 X線磁気円二色性の角度依存性
- 27a-APS-9 Fe-Ni合金系の磁気吸収
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 2005 SISPAD会議報告
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
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- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- 半導体デバイスの新しいシミュレーション技術〔I〕 : 微細CMOSのシミュレーション技術(1) : CMOSデバイスシミュレーションの高精度化
- 原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの進展と応用 : 微細MOSFETの真性ばらつき解析
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- Siブロックファイバガイドを用いたWDM光送受信モジュール
- フリースペース光学系を用いた波長多重光接続
- C-12-38 大容量メモリシステムのためのセットアソシアティブビットリダンダンシ方式
- 石英導波路型8×1光モードコンバイナ
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- 2000-ARC-139-20 オンチップマルチプロセッサにおける命令フェッチ方式