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Necエレクトロニクス | 論文
- 多層ダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 先端デバイス開発におけるゆらぎとデータ解析(信頼性データの処理)
- 半導体デバイスの信頼性基礎講座(5) : 金属配線の故障物理(信頼性基礎講座)
- 先端LSIにおける配線技術と信頼性(先端LSI技術と信頼性)
- プロセス 低電圧高速用途向けDRAM混載ロジック技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 0.15μm CMOS用CoSi_2サリサイド技術
- シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価
- システムLSIの信頼性を測る(信頼性を測る)
- シングルダマシンCu配線におけるパルス電流下のエレクトロマイグレーション挙動(電子部品)
- 2.1 p-MOSFETにおけるNBTIによる劣化予測モデルに関する一考察(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-1 p-MOSFET における NBTI による劣化予測モデルに関する一考察
- MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- SystemCを用いたシステムレベル設計手法
- SystemCを用いたシステムレベル設計手法
- SystemCを用いたシステムレベル設計手法
- TA-1-4 パラメータのばらつきに対するロバスト設計
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)