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NTT LSI研 | 論文
- a軸配向YBCO薄膜のテラヘルツ波領域における面間電磁応答
- 高温超伝導薄膜のエピタキシャル方位制御
- 28p-APS-85 レーザー蒸着YBa_2Cu_3O_x薄膜におけるα軸配向粒の基板方位依存性
- 酸化物超伝導体薄膜用基板LnGaO_3(Ln:希土類)の育成と評価 : 超電導酸化物
- 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
- クォーターミクロンCMOSに適用した銅配線プロセス評価及びその電気特性への影響
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術
- -0.2μmバルクCMOSプロセスによる-新しい超高速スタティックCMOS分周器の試作
- 浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用
- 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
- 全層SOR露光による超微細MOSIC (SOR発光技術)
- N-ISDN用マルチメディア通信会議システムにおけるサービス実現方式の検討
- Arイオン注入による極薄膜nMOSFETs/SIMOXにおける寄生バイポーラ効果の抑制
- 30p-YB-6 MeV Heイオンに対する GaAs阻止能の衝突径数依存性
- 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
- 5p-A-3 NTT常伝導リングにおける超伝導リングもれ磁場の影響
- 13p-F-3 NTT超伝導電子蓄積リング(Super-ALIS)の加速, 蓄積実験
- MPEG2対応動き補償LSI