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NTT LSI研究所 | 論文
- サ-ビスベ-スシステムの概念とその構成
- 大容量ATMスイッチシステムにおける低電力化の1手法
- ボロンをイオン注入した酸化膜を拡散源とするベース形成法を用いたSST-IC特性
- 低電力バイポーラ電流モード I/O 回路
- 低エネルギーバイポーラ電流モードI/O回路
- 0.5μmバイポーラデバイス : SST1C
- Siバイポーラ技術を用いた高速・高感度識別回路
- 超高速マスタスライスLSIの設計 (バイポ-ラSSTによる超高速集積回路技術)
- 1V動作高次ノイズシェーピングA/D変換器の検討
- 低電圧A/D、D/A変換技術
- 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
- 超低水分極薄シリコン酸化膜の信頼性
- 2段構成ディジタル再生型フリースペース光スイッチの実験
- 3.3V,50MHz帯域高感度CMOSプリアンプIC
- リアルタイムMPEG2 SP@MLエンコーダチップセットの開発
- DASTによるEOS
- C-12-29 マルチレーン構成におけるイーサネットフレーム長判定回路の改善(C-12.集積回路,一般セッション)
- 28a-B-11 強磁場中におけるCu_2O励起子の反磁性シフト
- 28a-E-1 強磁場におけるCu_2O励起子の吸収スペクトル
- 10 Gbit/sシリコンバイポーラゲートアレイ