超低水分極薄シリコン酸化膜の信頼性
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概要
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MOS構造素子の超微細化、高集積化に伴い、ゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜の薄膜化は必須の要件と考えられている。この極薄酸化膜を実用化するためには、(1)5nm以下の極薄酸化膜の長期信頼性の向上、(2)精密な成膜制御技術の開発、(3)成膜(前後)プロセスと既存プロセスとの整合性の確保、などの課題を全て解決する必要がある。そこで本報告では、将来の実用的な高信頼性極薄酸化膜形成プロセスの一つとして開発した、超低水分プロセスを例に、その形成プロセスと極薄酸化膜の信頼性について概説する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-24