スポンサーリンク
NTT Electrical Communications laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 論文
- Effects of Substrate-Surface Cleaning on Solid Phase Epitaxial Si Films
- 1)音情報を用いたビデオ・ブラウジング・インタフェース([情報ディスプレイ研究会 視聴覚技術研究会 画像処理・コンピュータビジョン研究会 画像通信システム研究会 画像応用研究会]合同)
- Nonradiative e-h Recombination Characteristics of Mid-Gap Electron Trap in Al_xGa_As (X=0.4) Grown by Molecular Beam Epitaxy
- 文字単位の音声による日本語入力
- High-Quality ZnSe Film Growth by 0.1-atm MOVPE under the Diethylzinc Diffusion-Limited Condition
- Room-Temperature Annealing Effects on Radiation-Induced Defects in InP Crystals and Solar Cells
- The Low Temperature Reaction of Radiation Defects in GaAs Introduced by γ-Ray at 33 K
- Oxygen-Doped Si Epitaxial Film (OXSEF)
- 6)電子本におけるグラフィカル・フィードバック・システムの提案と評価(画像通信システム研究会)
- Double Heterostructure GaAs Tunnel Junction for a AlGaAs/GaAs Tandem Solar Cell
- Determination of Hydrogen Concentration in PCVD Silicon Nitride Films by Elastic Recoil Detection Analysis
- Microwave Performance of GaAs PBT's Fabricated from MO-CVD Wafers
- Improvement in Differential Quantum Efficiency of 1.55 μm Distributed Feedback Lasers Grown by MOVPE
- A Boundary Layer Model for the MOCVD Process in a Vertical Cylinder Reactor
- Growth of ZnSe Films on In_xGa_As Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy