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Institute Of Microelectronics | 論文
- Amperometric Mode of Operation of Bipolar Magnetotransistor Sensors
- 平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法 (光エレクトロニクス)
- フォトニック結晶導波路のためのモードフィールド変換器の設計と評価(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告))
- 平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-13 ブラッググレーティングに適した偏波無依存型導波路の設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-81 シリコン・ナノフォトニックデバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Dopant Segregated Pt-Germanide Schottky S/D p-MOSFET with HfO_2/TaN gate on Strained Si-SiGe channel
- Formation and Thermal Stability of Nickel Germanide on Germanium Substrate
- Germanium Out-Diffusion in HfO_2 and its Impact on Electrical Properties
- Bendable High-Performance Electronic Devices (Active Transistor, High-Density Interconnect and Passive-MIM Capacitors) on Flexible Organic-Substrate
- Ultra-Narrow Silicon Nanowire (-3nm) Gate-All-Around MOSFETs
- Overcoming Challenges in Metal Gate Etching for Sub-45nm Technology Node
- Creation of Strained and Relaxed SiGe films simultaneously through Ge condensation on SOI
- Fully-depleted ultra narrow (-10nm) body Gate-All-Around CMOS transistors
- ブラッググレーティング導波路を用いたシリコンフォトニックデバイス
- Behavior of Effective Work Function in Metal/High-K Gate Stack under High Temperature Process
- Strained Ge-rich SiGe Nanowire pFETs with High-κ/Metal Gate Fabricated using Germanium Condensation Technique
- Si Quantum Dot TFT Nonvolatile Memory for System-On-Panel Applications
- Impacts of Body Contact Structures on SOI NMOSFET DC, RF, and 1/f Noise Characteristics
- A Dual BARC method for Lithography and Etch for Dual Damascene with Low K
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