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静岡大学 電子工学研究所 | 論文
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- ナノビジョンサイエンス-画像技術の新展開-, 三村秀典,原和彦,川人祥二,青木徹,廣本宣久(共著), コロナ社, 2009-04, A5判, 定価(本体3,400円+税)
- CT-1-7 単電子デバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 12bカラム並列サイクリックA/D変換器を集積した19.5b広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
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