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金沢大学大学院自然科学研究科 | 論文
- 08-12-7219-4 競泳選手の足跡形態の左右差(測定評価1,08.測定評価,一般研究発表抄録)
- 脳内におけるグルタミン酸刺激と鉄沈着の関連性
- 大脳皮質由来培養神経細胞における遊離二価鉄イオンによる N-methyl-D-aspartate 受容体チャネルの開口調節機構
- O-11 奈良県入之波温泉に見られる鉄水酸化物の微生物誘導型沈殿(2. 地質汚染の単元調査法と無単元調査法 : Green Geologyの確立のために)
- 消費電力を50%削減する動的電圧/周波数制御型H.264/AVC HDTVデコーダアーキテクチャ(集積回路技術とアーキテクチャ技術の協調・融合へ向けた,プロセッサ,並列処理,システムLSIアーキテクチャ及び一般)
- 廃物焼却灰より調製した溶融スラグの物性及び有害金属の溶出
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- 第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
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