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金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻 | 論文
- 単一指向性アレーマイクロホンの広帯域化設計
- UMLと価値関数を用いたソフトリアルタイムシステムの設計検証手法(コンカレントシステム,離散事象システム,ハイブリッドシステム,及び一般)
- (190)創成科目「電気電子システム設計」「自主課題研究」の取組み(セッション55 創成教育VIII)
- 8.次世代半導体メモリ : PRAMの例(大容量化が進むストレージ技術)
- 一定サイドローブ量の指向性アレースピーカの設計法
- 静止時における自立走行二輪車のモデリングとロバスト姿勢制御(機械力学,計測,自動制御)
- 226 静止時における自立走行二輪車のモデリングとロバスト姿勢制御(ビークル・コントロール,OS-2:運動と振動のモデリングと制御(1))
- 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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