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筑波大学物理工学系 | 論文
- 領域9,領域7「分子狭窄系の物理」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
- 23pGL-3 電極表面上のカーボンナノチューブのSTM像(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 癌焼灼治療を目的としたCo添加Fe3O4粒子分散体の交流磁場印加による昇温特性の評価
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- クラリネットに関するSchumacher方程式から得られる倍周期分岐, カオス, 及び振動状態遷移のヒステリシス
- 最近における木管楽器の音響学的研究 (自然楽器の音響)
- バスーンの入力インパルス応答
- バズーンにおけるリードの振動とボーカル入口音圧
- 相関を用いる変位測定法の誤差解析(技術談話室)
- 純古典的2体剛体衝突モデルに基づく固体表面での分子線非弾性散乱の解析
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
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