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物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所 | 論文
- 拡散溶接部の空隙表面における酸化皮膜の挙動 : 拡散溶接部での表面皮膜に関する研究(第2報)(昭和60年度秋季全国大会論文発表講演討論記録)
- 拡散溶接部の表面皮膜のオージェ解析 : 拡散溶接部の表面皮膜に関する研究(第1報)(昭和60年度春季全国大会論文発表講演討論記録)
- 拡散溶接部の空隙表面における酸化皮膜の挙動 : 拡散溶接部での表面皮膜に関する研究(第2報)(昭和60年度秋季全国大会論文発表講演論文)
- 拡散溶接部の表面皮膜のオージェ解析 : 拡散溶接部での表面皮膜に関する研究(第1報)(昭和60年度春季全国大会論文発表講演論文)
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 19pYH-3 幅の狭いBi-2212系固有ジョセフソン接合のジョセフソン磁束フロー抵抗振動とジョセフソン磁束四角格子形成(磁束量子系(ジョセフソン磁束・傾斜磁場),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 15aRB-6 Bi-2212 固有ジョセフソン接合におけるロックイン現象(ジョセフソン磁束・傾斜磁場, 領域 8)
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- オージェ電子分光法によるコバルト-ニッケル合金の定量条件の検討
- 衝撃圧縮後のアニール効果によるBi系酸化物超伝導体結晶粒の生成と評価
- Bi系酸化物超伝導体(Bi-Sr-Ca-Cu-O)超伝導のMOCVD法による薄膜化及び評価
- 水素化が及ぼすシリコン表面の偏光解析パラメータの変化