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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター | 論文
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- 高出力半導体レーザー : 光ディスクを支える強心臓
- 高効率ワンチップGaNインバータIC (特集 環境革新技術)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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