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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター | 論文
P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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