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東芝ULSI研究所 | 論文
- ストレスリーク電流における非弾性トンネリングの実験的検証
- 電子線アニール技術を用いた三次元イメージプロセッサの試作と評価
- サブ100nm時代の低リーク・低電力技術(パネルディスカッション)
- サブ100nm時代の低リーク・低電力技術(パネルディスカッション)
- MOSFETの特性ゆらぎによるULSIの限界
- 5a-Q-1 アモルファスSiO_2上における単結晶金属細線の形成
- 29p-WC-1 SiO_2上におけるAlの単結晶化の動的観察
- 500MHz 1ステージ32-bit ALU及びオンチップテスト回路 : パストランジスタマルチプレクサの最適化
- 単結晶アルミニウム配線技術 (ULSI先端技術)
- Al薄膜リフロー過程の電顕内その場観察
- a-Siホトダイオードの過度光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係
- 2)マスクパタン検査の一方式(画像技術応用研究会(第31回))
- PA-1 ディープサブミクロンを拓く回路理論の課題
- 超LSIの世界と予想される限界
- LSI設計の現場から ( 「物理出身者は今, 企業で…)
- 1)電子線アニール技術を用いた三次元イメージプロセッサの試作と評価(テレビジョン電子装置研究会)
- 耐圧計算における物理モデルの検討
- 64ビットCMOSスーパースケーラーマイクロプロセッサ
- シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認
- シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認