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東芝 研究開発センター | 論文
- p型コレクタをもつAlGaAs/GaAs-HBT
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- アルミナ銅を用いたジェリーロール法Nb_3Al導体
- 小型筐体熱解析手法のノートパソコンへの応用
- マルチチップモジュ-ル (高密度実装技術)
- 健康生活を支えるIT技術の動向
- 複合現実のユーザインタフェースへの適用
- 対話を支えるヒューマンインタフェース技術の動向 (特集1 生活と融合するヒューマンインタフェース技術 日常生活に溶け込む最先端IT(情報技術))
- D-12-108 モーションプロセッサを用いたマルチメディアアプリケーションの開発
- D-12-107 反射光画像を用いたHI入力デバイス : Motion Processor
- ランタンアルミネート直接接合ゲート絶縁膜
- 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 高音質規則音声合成器のための有音声源生成法
- 40 Gbps HBT ICs : D-type Flipflop, Darlington feedback amplifier, Preamplifier
- GaAs-HBT超高速ドライバIC
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポ-ラトランジスタを用いた超高速IC (集積回路)
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