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東芝 研究開発センター | 論文
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 金属人工格子/磁性薄膜のフロンテイア
- 巨大磁気抵抗効果材料の開発動向とセンサ応用
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- コンパクト型40Tハイブリッドマグネット用超電導コイルの設計
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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- ウェアラブル機器を用いたヘルスケアサービス(MBL-UBI合同セッション1)
- 12pYC-9 量子細線脇におかれた量子ドットの伝導に与える効果(量子細線, 領域 4)
- 動画像処理による呼吸モニタリングシステム
- Performance analysis of 3D-IC for multi-core processors in sub-65nm CMOS technologies (集積回路)
- 234 薄膜型熱電対を用いた内燃機関の燃焼室壁表面瞬間温度計測システム
- Finger-mount デバイスを用いた装着型システム
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験