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東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 論文
- フレキシブルブロックリダンダンシと高速高精度ワード線電圧コントローラを搭載した44mm^24バンク8ワードページ64Mbフラッシュメモリ
- メディアプロセッサ向け350MHz動作 時分割多重8ポートSRAMとワード長可変乗算器
- マルチメディアLSIに適した専用メモリマクロの設計手法とMPEG2デコーダへの応用
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- センスアンプーフリップフロップを用いた200MHzを画像圧縮/伸張マクロセル : VLD, DCT/IDCT Macrocell using SA-F/F
- 4μmセル CCDリニアイメージセンサ
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- 0.5μmBiCMOSスタンダ-ドセル用高機能マクロセル
- Snメッキ三層TABテープにおけるイオン・マイグレーションのメカニズム検証
- VT-CMOS技術のレイアウト設計手法 : MPEG4 Video & Audio Codec LSIへの適用
- LSIの微細化に伴うフィジカル・シンセシスの重要性と実施例
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- マルチチップ型インライン密着センサ
- 4ライン間隔5,000画素×3ラインカラーセンサ : 情報入力
- レンズ縮小型カラ-CCDリニアイメ-ジセンサ (個別半導体・CCD)
- クロックによる2回アクセスのアキミュレータを用いた2次元IDCTマクロセル
- 32bit Embedded RISC Core に内蔵される積和演算器の高速、小面積化の回路工夫
- 非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))