4μmセルCCDリニアイメージセンサ
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概要
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4μmの画素ピッチで1200DPIの解像度を有するCCDセンサ(TCD2901D/2093D)を開発した。画素面積の縮小による感度の低下は出力同路の電圧ゲインを向上させることで対策し同時に暗電流を低減し回路構成を工夫することで出力回路の電圧ゲイン向上に伴うノイズ成分の増加も押さえた。画素数の大きい高解像度センサに対しては4μm画素を採用することでペレット長の増加や外囲器の大きさを押さえることができるためコスト的に有利であるが今回特性約にも従来ピッチ(7μm)並の性能が実現できたため今後高解像度用センサには4μmが主流の画素ピッチになると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-21
著者
-
藤井 潔
東芝セミコンダクター社
-
物井 誠
東芝セミコンダクター社
-
物井 誠
株式会社東芝セミコンダクター杜
-
早川 良広
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
-
佐野 文昭
東芝セミコンダクター社
-
松浦 正和
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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