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東京農工大学 工学部 | 論文
- 交互供給MOCVD法によるBi_4Ti_3O_薄膜の低温作製
- 交互供給MOCVD法によるBi_4Ti_3O_薄膜の低温作製
- 2E1345 ゲノムにおける膜タンパク質の割合に関する解析(21.ゲノム生物学,一般演題,日本生物物理学会第40回年会)
- 226 アーク溶接時に発生するスパッタの飛散軌跡及び速度に関する研究
- リニア電磁ポンプに用いる集中巻誘導鉄心の開発
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- NACA0012 翼境界層の自然遷移に対する外乱の影響
- 矩形翼境界層の自然遷移に対する外乱の影響(年会2005)
- 二次元翼境界層の自然遷移に対する外乱の影響
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン薄膜のレーザ結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
- SC-8-8 Fabrication of poly-Si TFTs at low temperratures and analysis of their characteristics
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタ解析
- 紫外線プラズマ照射によるSiO_2/Si界面及びSi中の電気特性変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の特性の解析(半導体Si及び関連材料・評価)
- イオンドーピングした不純物の活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶シリコンヘイオンドーピングされたドーパントの低温活性化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 電流加熱結晶化法によるシリコン薄膜の結晶化(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- 固相成長多結晶シリコン膜の電気的特性の解析