交互供給MOCVD法によるBi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温作製
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概要
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交互供給MOCVD法を用いて、Pt(001)/MgO(001)基板上にBi_4Ti_3O_<12>薄膜の作製を行った。Pt(001)膜上での初期の成長形態が、その後のBIT膜の成長に大きく影響を与えることを見いだした。第1層目にTiを供給してやることにより、成長したBIT膜の表面は、random nulceationによる(117)配向している領域を除いて平坦に形成されていた。基板温度を上げて表面でのマイグレーションを促進させたところ、c軸単一配向で表面モフォロジーの良好なBIT薄膜を得ることが出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
著者
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岩崎 好孝
東京農工大学工学部
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上野 智雄
東京農工大学工学部
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上谷 愛
東京農工大学工学部
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上野 智雄
東京農工大学大学院工学府電気電子工学専攻
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岩崎 好孝
東京農工大学大学院工学府電気電子工学専攻
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紺野 哲豊
東京農工大学 工学部
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紺野 哲豊
東京農工大学工学部
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岩崎 好孝
東京農工大学大学院 工学府 電気電子工学専攻
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上谷 愛
東京農工大学 工学部
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