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東京工業大学院理工学研究科 | 論文
- C-10-1 走査探針による新しい固体電子干渉検出実験
- C-10-14 半導体ヘテロ構造による電子波面広がり制御の可能性
- ED2000-108 二重障壁共鳴トンネルダイオードを用いた位相コヒーレンス長の評価
- 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
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- RTDの共鳴幅評価に及ぼす井戸内不純物イオンの影響解析
- 共鳴トンネルダイオードにおける不純物準位介在トンネルの理論解析
- RTD端子電圧と共鳴準位シフトの間の変換係数
- 半導体ヘテロ接合に隣接した埋め込み微細金属による共鳴トンネル電流の制御
- 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
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- OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
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- OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性
- AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
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- 共鳴トンネルダイオードを用いたGaInAsにおけるホットエレクトロンのコヒーレンス長評価
- Increase in Collector Current in Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias
- 補正付き摂動法を用いた構造振動特性の高効率応答曲面法最適化
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET