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東京工業大学院理工学研究科 | 論文
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- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
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- 特集11 : 研究解説 : コヒーレントホットエレクトロンによる電子波干渉・回折の可能性
- ホットエレクトロンのコヒーレンス評価のための微細エミッタ共鳴トンネルダイオード
- InP 系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高速化技術
- 電子波回折/干渉デバイス
- 大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察
- 半導体への不純物組織ドーピングによる電子の散乱抑制
- 半導体中の不純物組織ドーピングによる散乱抑制 : 散乱確率の格子構造依存性
- 電子波回折とデバイス応用
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- 量子効果と回路システムを結び付けるには : 研究のスタンスと電子波デバイス
- 電子波干渉とデバイス化の可能性
- 電子波干渉とコヒーレンス - 電子波デバイス実現のための条件 -
- 電子波へのフ-リエ展開応用の可能性
- 電子波デバイス
- 化学エッチング (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
- 半導体レ-ザ-用4元混晶の有機金属気相成長法
- 外部高屈折率層付誘電体導波路の放射損