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東京工業大学院理工学研究科 | 論文
- 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
- ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
- CT-1-3 量子効果デバイス研究の展望と課題(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化
- W. T. Tsang 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 22; Lightwave Communication Technology, Pts. A〜E, Academic Press, Orlando and London, 1985, 5冊, 24×16cm.
- モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析
- コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer(THz Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
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- BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
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