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東京工業大学院理工学研究科 | 論文
- 導波路形光共振器 (レ-ザ-共振器(技術ノ-ト))
- 光通信・OEIC (′80年代後半の光産業技術展望)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
- 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
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- EB (電子ビーム) 露光によるGaInAs/InP系ホットエレクトロントランジスタ (HET) の微細化
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
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- ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
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- 3重障壁共鳴トンネルダイオードによる高温での位相コヒーレンス長評価の可能性
- Gated Tunneling Structures with Buried Tungsten Grating Adjacent to Semiconductor Heterostructures
- Gated Resonant Tunneling Structures with Buried Tungsten Grating Adjacent to Semiconductor Heterostructures
- Proposal for a Solid State Biprism Device
- 半導体中の規則配置不純物イオンによる電子の散乱現象
- 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)