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東京工業大学フロンティア研究機構 | 論文
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- スギ林における酸の乾性沈着量の時間的変動 : インフェレンシャル法による沈着量の年変化と季節変化の評価
- インフェレンシャル法による森林への硫黄化合物の乾性沈着量の推定 : SO_2の乾性沈着に及ぼす葉面のぬれの影響
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 固体物理の応用 アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状
- 23aTH-3 アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- なぜアモルファス酸化物がフレキシブルデバイス用半導体として注目されているのか (特集 ディスプレイを支えるキーマテリアル)
- 高性能フレキシブルTFT実現に向けたアモルファス酸化物半導体の材料探索とフレキシブルTFT特性
- アモルファス酸化物半導体を能動層とする透明フレキシブルトランジスタ
- アモルファス透明酸化物半導体を用いた高性能フレキシブル薄膜トランジスタの室温形成
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
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