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東京大学電気系工学専攻 | 論文
- C-12-30 20V有機CMOSオペアンプにおけるフローティングゲートを利用したプロセスばらつき補正技術の提案と実証(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-4-7 窒素封入カーボンナノチューブを用いたモード同期ファイバレーザの安定性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- SF_6ガス絶縁実用化への道のり
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ
- 東京大学 先端電力エネルギー・環境技術教育研究センター
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 招待講演 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn[x]Ga[l-x]As MOSFETの移動度向上とその物理的理解 (シリコン材料・デバイス)
- 大規模集積回路と半導体材料技術の現状と将来
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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