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東京大学電気系工学専攻 | 論文
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解
- Bulk とSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討
- Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeO_x/Ge界面による移動度の向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- InGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与えるメタルゲート電極の影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)