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日立製作所中央研究所 | 論文
- 4) a-Siダイオードを使った密着方式1次元センサー(テレビジョン電子装置研究会(第120回))
- a-Siダイオードを使った密着方式一次元センサ
- AND型フラッシュメモリの動向
- 3V単一電源フラッシュメモリのビット毎制御書換え方式の検討
- フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
- 3V単一電源フラシュメモリのワードデコーダ回路方式の検討
- 3V単一電源フラッシュメモリの書込みパルス幅べき乗比印加方式の検討
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- 神経疾患における指タップ運動計測, 診断支援の臨床的有用性
- 分子線エピタキシーにおける結晶成長モードと成長温度
- 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 低電力連続センシング技術 : Cool Sense(アプリケーション品質,モバイルP2P,ユビキタスネットワーク,アドホックネットワーク,センサネットワーク,一般)
- 間欠動作型CMOS UWB-IR受信機アナログフロントエンド (情報センシング)
- パイプライン制御計算機の制御論理生成方式
- 省エネルギー化に向けた高効率ネットワークデバイス技術の現状(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 100Gbイーサネットとネットワーク機器省電力化技術(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 聴覚障害者向け胃部X線検査用情報提供システムの使用経験
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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