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日本電気株式会社シリコンシステム研究所 | 論文
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- C-12-12 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロ(II)
- シグナルインテグリティ評価用100-Gsa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- C-12-6 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 0.1μmMRAMセルの開発
- 11-4 SIMD命令に適した単板式カメラ用色分離処理方法
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- 2.4Gb/s CMOSワンチップ光通信受信IC
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- ギガヘルツ動作CMOS光通信用IC
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール