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日本電気(株)基礎・環境研究所 | 論文
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- スピンバルブ素子におけるΔR-Hクロスポイント要因
- ナノテクを導入したバイオチップ用分離技術の開発 (特集2 実用化迫るマイクロ化学システム)
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- 固体電解質メモリー
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 携帯機器への応用を目的とした小型ダイレクトメタノール型燃料電池
- 携帯機器用燃料電池(やさしいハードの話)
- 強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の結晶構造解析と誘電特性, 還元劣化機構の解明
- メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性
- 23pYQ-2 強誘電体SrBi_2(Ta_Nb_x)_20_9の結晶構造と強誘電性
- Mnペロブスカイト薄膜を用いたスピントンネル接合
- 28a-PS-65 パイロクロア型Mn酸化物Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性
- 29a-Q-13 ビスマス層状構造強誘電体の構造と誘電特性
- 5p-PSB-7 Mnパイロクロアの構造と磁気特性