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日本オプネクスト株式会社 | 論文
- 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
- 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
- 光インタコネクト用1.3μm帯低しきい電流半導体レーザアレイ
- 並列光インターコネクション用長波長半導体レーザーアレイ (特集 半導体レーザー・最近の話題)
- 光通信用長波長帯面発光半導体レーザー
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- 低しきい値半導体レ-ザアレイ (特集 光が変えるコンピュ-タの世界--光インタ-コネクション)
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 155Mb/sプラスチックMini-DIL PIN-PREAMPモジュール
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