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日本オプネクスト株式会社 | 論文
- 小型10Gbit/s/channel光トランシーバ(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- C-3-92 VCSELを用いた10Gbit/s×4channelパラレル光送受信器(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-132 4ch×10 Gbit/s CWDM 光受信器
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-21 10Gbps×4ch パラレル光受信器
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光導波路基板上への光素子直接搭載
- 光ハイブリッドモジュール
- C-3-96 1.3μm帯10.7Gbit/s TOSAモジュールの広温度範囲動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-135 10 Gbit/sドライバIC内蔵電界吸収型変調器集積DFBレーザモジュール(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 200Mbit/s/ch×12ch光インタコネクト送受信モジュール
- 250Mb/s,12ch.光インタコネクト用送受信IC
- 並列光インターコネクション用1.3μm帯低しきい電流・横テーパ構造n型変調ドープ歪MQWレーザアレイ
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによる85℃-2.5Gb/s零バイアス変調
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