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広島大学大学院 先端物質科学研究科 | 論文
- 31aSH-1 超短パルスレーザーを用いた高エネルギーイオン発生実験 : (1) イオン、電子計測
- 半導体発光ダイオードによる広帯域微弱サブポアソン光発生
- 超低電圧動作・低雑音CMOS増幅回路の設計法(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
- オートゼロ・チョッパスタビライゼーション技術を併用した1V動作低雑音CMOS増幅器(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入
- C-12-71 「飲むバイオセンサー」に用いるCMOS温度センサーの研究(C-12.集積回路,一般セッション)
- 506 多価不飽和脂肪酸による抗アレルギー作用メカニズムの解明(動物モデル(6), 第55回日本アレルギー学会秋季学術大会)
- 187 新規ダニアレルゲンMag133によるTh2サイトカイン産生の誘導メカニズム(アレルゲン, 抗原(7), 第55回日本アレルギー学会秋季学術大会)
- 59 新規ダニアレルゲンMag133によるヘルパーT細胞バランスの調節
- 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- AIO_x:N/Si(100)界面の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ZrO_2/Si(100)系の界面遷移層評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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