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広島大学ナノデバイス・システム研究センター | 論文
- 極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超LSI対応レーザー不純物活性化技術
- Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
- 傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
- スパイラルインダクタのカップリングを用いたチップ間無線インターコネクト(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- スパイラルインダクタのカップリングを用いたチップ間無線インターコネクト
- 全並列型最小マンハッタン距離検索連想メモリ
- 全並列型最小マンハッタン距離検索連想メモリ
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- 量子ドットのクーロン振動に対するポテンシャル揺らぎの効果
- 微小トンネル素子の時間変調効果
- 階層型多バンクメモリを用いた多ポートキャッシュの設計
- 階層型多バンクメモリを用いた多ポートキャッシュの設計
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- マルチバンク構成レジスタファイルを用いたプロセッサにおけるレジスタアクセス・スケジューリング機構の構成と評価(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)