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山口大学工学部電気電子工学科 | 論文
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
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- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
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- マイクロ波人工媒質を用いた共振器
- 静磁波BAPのマイクロ波特性 : 新しい人工媒質の提案
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
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- C-11-1 Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)の検討 : 論理回路への応用
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- p型、n型si(100)上の極薄SiO_2膜のDT電流のWKB近似による検討
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
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- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)のダブルバリヤ/Si界面障壁高さに関する考察 : ゲート長との関係
- p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流のWKB近似に基づく解析
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
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- 極薄SiO_2膜の直接トンネル電流の検討
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性