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富士通株式会社:株式会社富士通研究所 | 論文
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
- 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT
- LiNbO_3 導波路型変調器のDCドリフト改善の検討
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
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