LiNbO_3 導波路型変調器のDCドリフト改善の検討
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概要
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LN導波路デバイスの大きな課題であるDCドリフトに対し、これを定量的に扱う場合のDCドリフト量の定義を行うとともに、DCドリフトの一般的性質について記述した。ここで、負のDCドリフトがDCドリフトを補償する場合に有利であることを示し、負のDCドリフトの実現条件の検討を行うとともに、これを作製し、負のDCドリフト特性を確認するとともに、従来のLN導波路デバイスに比較して大幅に改善されたDCドリフト特性を得た。さらにこの現象が温度加速されることを見いだすとともに、活性化エネルギを測定した。DCドリフト特性と活性化エネルギを用いて実際のシステムの動作点補償回路をシミュレートし、最悪の条件に於いても65℃で20年後の故障率が1fit以下であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-29
著者
-
土居 正治
富士通株式会社
-
清野 實
(株)富士通研究所
-
谷口 眞司
株式会社 富士通研究所
-
中澤 忠雄
(財)光産業技術振興協会:富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
中沢 忠雄
(株)富士通研究所(富士通株式会社兼務)
-
中澤 忠雛
株式会社富士通研究所
-
土居 正治
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
谷口 眞司
(株)富士通研究所
-
土居 正治
(株)富士通研究所 パーソナルシステム研究所
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