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富士通株式会社:株式会社富士通研究所 | 論文
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
- C-2-23 65nm CMOSを用いたシングルチップK帯パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- C-2-34 トランスフォーマーによる中和技術を用いたミリ波帯単相アンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-88 77GHz帯ミリ波レーダ用受信回路の開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)
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