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奈良先端大:CREST | 論文
- 21aPS-95 斜入射スパッタ法によるPbTiO_3の自己組織化ナノ結晶アレイの作製と評価(21aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 : 金属ナノ粒子による伝導パスの制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム : シリコン薄膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム : シリコン薄膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- バイオの技術を応用した新しい半導体デバイスの研究
- 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの新規作製技術ならびに解析技術
- 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 高圧水蒸気熱処理によるa-In_2Ga_2Zn_1O_7 TFTの特性改善効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- T1602-3-1 MEMS用Si薄膜材料の内部応力増強に向けたNiフェリチンを用いた金属誘起横方向結晶成長([T1602-3]マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(3))
- グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Three-Dimensional Nanodot-Type Floating Gate Memory Fabricated by Bio-Layer-by-Layer Method
- 1S3p05 生体超分子を利用した次世代情報機能素子の研究(グリーンバイオ電子デバイス(g-BED)創製への挑戦,ワークショップ)
- ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理の効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- ゲル-ナノインプリントプロセスによるZnO-2次元フォトニック結晶の作製(シリコン関連材料の作製と評価)
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