スポンサーリンク
名古屋大学工学部電子工学科 | 論文
- SrTiO_3(110)バイクリスタル基板を用いたBa_K_xBiO_3粒界接合
- 4族半導体ヘテロエピタキシ-機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- ガスソースMBE法による(100)Si基板上のSi_Ge_x膜の成長初期過程 : 気相成長・薄膜II
- ダイヤモンド紫外線センサを用いた火災検知システム (特集:生活事故・作業事故を防ぐ光学技術)
- 最近の研究 ダイヤモンド紫外線センサー
- ダイヤモンドを用いた光センサの開発 (特集 発光材料の新展開)
- 金属/ダイヤモンド界面と深紫外線センサ素子
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
- 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 教育シンポジウム「崖っ淵の科学教育」